产品名称：300mm CMP 化学机械抛光头总成产品简介：用于 Mirra、Reflexion 系列 CMP 设备，实现晶圆表面高精度、均匀抛光。技术规格：
- 适用晶圆：300mm（12 英寸）硅片、化合物半导体片
- 抛光压力：0.1–5 psi 连续可调，精度 ±0.01 psi
- 旋转速度：0–300 rpm，转速波动 < ±1 rpm
- 材质：抛光膜 PVA 海绵 + 聚氨酯，保持环 Peek 工程塑料
- 冷却系统：内部水冷，温度控制 20–25°C功能特点：
- 均匀性：晶圆内厚度均匀性 < 2%（300mm）
- 材料去除率：1000–5000 Å/min（针对 SiO₂、Cu 等）
- 缺陷控制：无划痕、无颗粒污染，缺陷率 < 0.1 个 /cm²
- 自动对准：晶圆中心定位精度 ±0.1mm应用场景：
- 半导体 CMP 工艺：SiO₂ 介质抛光、Cu 互连抛光、W 栓塞抛光
- 先进封装：TSV 硅通孔抛光、晶圆级封装（WLP）
- 化合物半导体：GaN、SiC 晶圆抛光
- 光学器件、MEMS 器件表面精密加工
AMAT 0010-09395 
AMAT DIP-510-005 
AMAT 0041-76691 