产品名称：陶瓷加热基座组件产品简介：用于半导体工艺腔室的晶圆加热与支撑组件，采用高纯度陶瓷材质，提供均匀温度控制与稳定支撑，适配 200mm 晶圆制程。技术规格
- 材质：99.6% 高纯度氧化铝陶瓷
- 适用晶圆：200mm（8 英寸）
- 温控范围：室温 ～ 450℃ 连续可调
- 温控精度：±1℃
- 加热功率：0–1500W
- 均匀性：晶圆内温度均匀性 < ±2%
- 密封：FFKM 全氟醚密封圈功能特点
- 高纯度陶瓷材质，无金属污染，保障晶圆质量
- 温度均匀性优异，提升工艺一致性
- 耐等离子体侵蚀，使用寿命长
- 热响应速度快，控温精准
- 结构坚固，支撑稳定，无机械应力应用场景
- 刻蚀、沉积、离子注入腔室晶圆加热
- 200mm 晶圆制程、先进存储与逻辑芯片制造
- 高温工艺（> 300℃）晶圆温度控制
- 原子层沉积（ALD）、化学气相沉积（CVD）设备
AMAT 0010-09395 
AMAT 6C50SHCS 
AMAT DIP-510-005 
AMAT 0041-76691 